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證券之星消息，根據天眼查APP數據顯示晶豐明源（688368）新獲得一項發明專利授權，專利名為“過零檢測電路、芯片、智能開關及過零檢測方法”，專利申請號為CN201910101274.2，授權日為2026年1月23日。專利摘要：本申請提供一種過零檢測電路、芯片、智能開關及過零檢測方法。其中，所述過零檢測電路用于檢測流經一交流電線路上的交流電信號的過零相位，包括：檢測信號生成電路，用于間隔地產生反映交流電信號的檢測信號；其中所述檢測信號至少反映在預設的過零相位區間內的交流電信號；檢測電路，與所述檢測信號生成電路相連，用于基于所述過零相位區間檢測所述檢測信號，并根據檢測結果輸出過零檢測信號。本申請利用間隔產生對應交流電信號的檢測信號，減少過零檢測電路中采樣電器件和檢測電器件的工作時長，由此減少過
查看 >>2026-03-17
H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價比高
目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應用的需求。針對這一市場痛點，我司特研發出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點，能夠廣泛應用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉換的場景。尤其在應對潛在的熱拔插應用場景方面有出色的表現。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續大電流，低功耗◆ 高工作轉換效率，可達95%◆ 輸出電壓可調≥3.3V◆ 動態響應優異，線性和負載調整良好◆ 集成軟啟動、過流保護OCP、過熱保護OTP、短路保護SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現
查看 >>2026-03-17
1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級
查看 >>2026-03-17
國家知識產權局信息顯示，安測半導體技術（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發明屬于芯片測試（晶圓測試）領域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導致作業效率較低，而且經常出現連線錯誤的問題，本發明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發出測試信號；處理單元，用于根據所述測試電路單元發出的信號，對待測晶圓進行電壓測試。本發明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要
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國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明公開了芯片調測系統及方法，涉及芯片開發技術領域。所述系統包括待測芯片端和外設接口發送裝置，外設接口發送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發送不同類型的低速協議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發送裝置發送的低速協議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號，再通過AMBA總線發送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統調測方案進行補充或替
查看 >>2026-03-17
1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業預計2027年前存儲芯片價
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國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態和類型；根據耗材芯片的狀態和類型，控制信號選擇模
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國家知識產權局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種開關管的保護電路和芯片”的專利，公開號CN121261684A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發明實施例提供了一種開關管的保護電路和芯片，包括第一開關管、開通電路和控制電路；第一開關管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅動芯片連接，另一端與第一開關管的控制端連接，用于接收驅動芯片輸出的驅動電壓，并向第一開關管的控制端輸出驅動電壓；開通電路包括電阻調節模塊；控制電路分別與電阻調節模塊和第一開關管的控制端連接，用于調整電阻調節模塊的阻值。本發明實施例通過控制電路，根據第一開關管的控制端與輸出端之間的電壓來調整電阻調節模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關管的控制端基于供
查看 >>2026-03-17
國家知識產權局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發明提供一種光開關和硅光芯片，光開關包括第一波導和第二波導，第一波導與第二波導并列設置；第二波導包括主體和設置在主體中的第一縫隙；第一波導由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數大于第二材料的熱光系數；沿光傳播方向，光開關依次設置有輸入端口區、輸入耦合區、非耦合相位調制區、輸出耦合區和輸出端口區，輸入端口區、輸入耦合區、非耦合相位調制區、輸出耦合區和輸出端口區均設置在第一波導和第二波導上；在非耦合相位調制區的第一波導的寬度為450納米，在非耦合相位調制區的第二波導寬度為600納米。本發明在實現
查看 >>2026-03-17
國家知識產權局信息顯示，佛山市伊戈爾電子有限公司;吉安伊戈爾電氣有限公司申請一項名為“一種快速啟動開關電源”的專利，公開號CN121308528A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發明涉及開關電源技術領域，特別是一種快速啟動開關電源，變壓器T1的一次側設有輔助繞組，輔助繞組設有第一分接頭和第二分接頭，第一分接頭的輸出電壓比第二分接頭的輸出電壓大；線性穩壓模塊的第一端電連接于第一分接頭，供電切換模塊的輸入端電連接于第二分接頭；快速啟動整流橋電路的MOS管Q2的源極、控制芯片U1的電源端和供電切換模塊的輸出端均與線性穩壓模塊的第二端電連接；當第二分接頭的輸出電壓大于線性穩壓模塊的穩壓值時，線性穩壓模塊斷開及供電切換模塊導通，否則兩者狀態相反，且當兩者任一導通時，MOS管Q2斷開；解決
查看 >>2026-03-17
 
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