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1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?；根?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利，授權(quán)公告號CN118449503B，申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對外投資了5家企業(yè)，參與招投標項目4次，財產(chǎn)線索方面有商標信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個。聲明：市場有風(fēng)險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種開關(guān)管的保護電路和芯片”的專利，公開號CN121261684A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種開關(guān)管的保護電路和芯片，包括第一開關(guān)管、開通電路和控制電路；第一開關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅(qū)動芯片連接，另一端與第一開關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動芯片輸出的驅(qū)動電壓，并向第一開關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動電壓；開通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實施例通過控制電路，根據(jù)第一開關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關(guān)管的控制端基于供

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關(guān)和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開關(guān)和硅光芯片，光開關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實現(xiàn)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，佛山市伊戈爾電子有限公司;吉安伊戈爾電氣有限公司申請一項名為“一種快速啟動開關(guān)電源”的專利，公開號CN121308528A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種快速啟動開關(guān)電源，變壓器T1的一次側(cè)設(shè)有輔助繞組，輔助繞組設(shè)有第一分接頭和第二分接頭，第一分接頭的輸出電壓比第二分接頭的輸出電壓大；線性穩(wěn)壓模塊的第一端電連接于第一分接頭，供電切換模塊的輸入端電連接于第二分接頭；快速啟動整流橋電路的MOS管Q2的源極、控制芯片U1的電源端和供電切換模塊的輸出端均與線性穩(wěn)壓模塊的第二端電連接；當?shù)诙纸宇^的輸出電壓大于線性穩(wěn)壓模塊的穩(wěn)壓值時，線性穩(wěn)壓模塊斷開及供電切換模塊導(dǎo)通，否則兩者狀態(tài)相反，且當兩者任一導(dǎo)通時，MOS管Q2斷開；解決

ES5915-654852長按1.5秒開關(guān)機芯片一． 功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關(guān)機，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二． 電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動電流低電平輸出：15mA驅(qū)動電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三． 電路圖參考電源開關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實際需要調(diào)整或省略四． 封裝尺寸圖（SOT23-6）

MASWSS0157是一款GaAs MMIC SPDT開關(guān)，采用無鉛SOIC 8引腳表面貼裝塑料封裝。該設(shè)備非常適合在需要低功耗的地方使用。典型應(yīng)用包括無線電和蜂窩設(shè)備、PCM、GPS、光纖模塊和其他電池供電無線電設(shè)備等系統(tǒng)中的發(fā)射/接收交換、開關(guān)矩陣和交換濾波器組。MASWSS0157是使用單片GaAs MMIC，采用成熟的1微米工藝制造的。該工藝具有全芯片鈍化功能，可提高性能和可靠性。特征·極低直流功耗：100μW·無鹵素“綠色”模塑料·銅上鍍100%啞光錫·無鉛SOIC-8封裝·納秒切換速度·甚高截獲點：45 dBm IP3·高隔離度：25 dB至2 GHz·低插入損耗：0.5 dB·260°C回流兼容·符合RoHS標準的SW-239版本應(yīng)用·無線網(wǎng)絡(luò)和通信

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市德蘭明海新能源股份有限公司申請一項名為“保護電路和開關(guān)輔源電路”的專利，公開號CN 121012320 A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本申請涉及一種保護電路和開關(guān)輔源電路。應(yīng)用于電源控制芯片，包括：第一采樣模塊，用于采樣輸入電壓；開關(guān)控制模塊，其輸入端連接第一采樣模塊，其輸出端連接電源控制芯片；接至輸入電壓的第二采樣模塊，第二采樣模塊連接電源控制芯片；當?shù)谝徊蓸幽K采樣的電壓大于預(yù)設(shè)電壓時，第一采樣模塊用于控制開關(guān)控制模塊的輸出端截斷與電源控制芯片的輸出通道，第二采樣模塊用于采樣輸入電壓以提供工作電壓至電源控制芯片；當?shù)谝徊蓸幽K采樣的電壓小于或者等于預(yù)設(shè)電壓時，第一采樣模塊用于控制開關(guān)控制模塊的輸出端輸出掉電信號至電源控制芯片，第二采樣模塊還用于